สำนักข่าวรอยเตอร์รายงานในวันนี้ (13 มี.ค.) โดยอ้างแหล่งข่าวว่า ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ (Samsung Electronics) วางแผนที่จะใช้เทคโนโลยีการผลิตชิปที่มีคู่แข่งอย่างเอสเค ไฮนิกซ์ (SK Hynix) เป็นผู้สนับสนุนหลัก
ชิป High Bandwidth Memory (HBM) เป็นที่ต้องการมากขึ้นตามความนิยมของเจเนอเรทีฟเอไอ (generative AI) แต่เห็นได้ชัดว่าซัมซุงไม่ได้มีการทำข้อตกลงใด ๆ ในการจัดหาชิป HBM ล่าสุดให้กับอินวิเดีย (Nvidia) ผู้นำด้านชิปเอไอ ซึ่งต่างจากคู่แข่งอย่างเอสเค ไฮนิกซ์ และไมครอน เทคโนโลยี (Micron Technology)
นักวิเคราะห์และผู้สังเกตการณ์ในอุตสาหกรรมให้ความเห็นว่า สาเหตุหนึ่งที่ทำให้ซัมซุงตามหลังคู่แข่งคือ ซัมซุงตัดสินใจที่จะยึดติดกับเทคโนโลยีการผลิตชิปที่เรียกว่า Non-Conductive Film (NCF) ซึ่งทำให้เกิดปัญหาในการผลิต ขณะที่ไฮนิกซ์ได้เปลี่ยนมาใช้เทคโนโลยี Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) เพื่อแก้ไขจุดอ่อนของ NCF
อย่างไรก็ตาม แหล่งข่าววงในกล่าวว่า ซัมซุงเพิ่งออกคำสั่งซื้ออุปกรณ์การผลิตชิปที่ออกแบบมาเพื่อรองรับเทคนิค MUF
"ซัมซุงต้องทำอะไรสักอย่างเพื่อเพิ่มผลผลิต HBM... การนำเทคนิค MUF มาใช้คือเท่ากับว่าซัมซุงยอมกลืนน้ำลายตัวเอง เพราะท้ายที่สุดแล้วก็ต้องทำตามเทคนิคที่เอสเค ไฮนิกซ์ ใช้เป็นเจ้าแรก" แหล่งข่าวรายหนึ่งกล่าว
ทั้งนี้ ซัมซุงเปิดเผยกับทางรอยเตอร์ว่า เทคโนโลยี NCF ของบริษัทเป็น "โซลูชันที่เหมาะสมที่สุด" สำหรับผลิตภัณฑ์ HBM และจะใช้ในชิป HBM3E รุ่นใหม่ของซัมซุง "เรากำลังดำเนินธุรกิจผลิตภัณฑ์ HBM3E ตามแผน"
นอกจากนี้ ซัมซุงยังออกแถลงการณ์ว่า "ข่าวลือที่ว่าซัมซุงจะนำ MR-MUF ไปใช้กับการผลิต HBM นั้นไม่เป็นความจริง"
นักวิเคราะห์หลายรายระบุว่า ผลผลิตชิป HBM3 ของซัมซุงอยู่ที่ประมาณ 10-20% ซึ่งตามหลังเอสเค ไฮนิกซ์ ที่มีผลผลิต HBM3 อยู่ที่ประมาณ 60-70%
หนึ่งในแหล่งข่าวกล่าวว่า ซัมซุงกำลังเจรจากับผู้ผลิตวัสดุ รวมถึงนากาเสะ (Nagase) ของญี่ปุ่นเพื่อจัดหาวัสดุ MUF อยู่แล้ว แต่ซัมซุงไม่น่าจะพร้อมทำการผลิตชิปไฮเอนด์จำนวนมากโดยใช้ MUF เพราะกว่าจะพร้อมได้อย่างเร็วก็ปีหน้า เนื่องจากซัมซุงต้องทำการทดสอบเพิ่มเติม
นอกจากนี้ แหล่งข่าวยังกล่าวอีกว่า ซัมซุงวางแผนที่จะใช้ทั้งเทคนิค NCF และ MUF สำหรับชิป HBM ล่าสุดอีกด้วย
ทั้งนี้ แหล่งข่าวระบุว่า ซีรีส์ HBM3 ของซัมซุงยังไม่ผ่านเกณฑ์คุณสมบัติของอินวิเดียสำหรับข้อตกลงการจัดหา